W66BM6NBUAFJ TR
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fabricante:
Winbond Electronics
Descrição:
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
Categoria:
Memória
Especificações
Categoria:
Circuitos integrados (CI)
Memória
Memória
Tamanho da Memória:
2Gbit
Estatuto do produto:
Não para novos desenhos
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
DigiKey Programável:
Não verificado
Interface de memória:
LVSTL_11
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
18ns
Pacote de dispositivos do fornecedor:
200-WFBGA (10x14.5)
Tipo de memória:
Volátil
Mfr:
Winbond Electronics
Frequência do relógio:
1,6 gigahertz
Voltagem - Fornecimento:
1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Tempo de acesso:
3,5 ns
Embalagem / Caixa:
200-WFBGA
Organização da memória:
128M x 16
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 105°C (TC)
Tecnologia:
SDRAM - LPDDR4X móvel
Número do produto de base:
W66BM6
Formato de memória:
DRAM
Introdução
SDRAM - IC de memória LPDDR4X móvel 2Gbit LVSTL_11 1,6 GHz 3,5 ns 200-WFBGA (10x14.5)
PRODUTOS CONEXOS
W29N02KVBIAE TR
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
W97AH6NBVA1E TR
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
W979H2KBVX1I TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W25N01GWZEIG TR
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
W9812G6KH-5I TR
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W632GG8NB-11TR
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W979H6KBVX1E TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W971GG8NB25I TR
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W9812G6KH-5I
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W25N512GVEIG
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
W979H6KBVX2I TR
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W94AD2KBJX5E
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
W631GG6NB-15
IC DRAM 1GBIT SSTL 15 96VFBGA
W25M512JWEIQ TR
IC FLASH 512MBIT SPI 8WSON
W632GU6NB09I
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
W29N01HZSINA TR
IC FLASH 1GBIT ONFI 48TSOP
W25Q80DVSNIG
IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOIC
W25Q01NWSFIQ TR
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOIC
W631GG6NB09I TR
IC DRAM 1GBIT SSTL 15 96VFBGA
W9812G6KH-6TR
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
W25Q16JVSNIM TR
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC
W25Q256JVEIM
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON
W9816G6JH-5TR
IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
W25Q128JWPIQ TR
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON
W25R128JWEIQ TR
IC FLASH 128MBIT SPI 8WSON
W971GG8NB-18
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W25N01GVTBIG
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 24TFBGA
W25N02KVZEIU
IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 8WSON
W9412G6KH-5TR
IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
W25Q16JWSSIQ
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC
| Imagem | parte # | Descrição | |
|---|---|---|---|
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W29N02KVBIAE TR |
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
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W97AH6NBVA1E TR |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
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W979H2KBVX1I TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
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W25N01GWZEIG TR |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
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W9812G6KH-5I TR |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
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W632GG8NB-11TR |
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
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|
W979H6KBVX1E TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
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|
W971GG8NB25I TR |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
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W9812G6KH-5I |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
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W25N512GVEIG |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
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W979H6KBVX2I TR |
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
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W94AD2KBJX5E |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
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W631GG6NB-15 |
IC DRAM 1GBIT SSTL 15 96VFBGA
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W25M512JWEIQ TR |
IC FLASH 512MBIT SPI 8WSON
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W632GU6NB09I |
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
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W29N01HZSINA TR |
IC FLASH 1GBIT ONFI 48TSOP
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W25Q80DVSNIG |
IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOIC
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W25Q01NWSFIQ TR |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOIC
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W631GG6NB09I TR |
IC DRAM 1GBIT SSTL 15 96VFBGA
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W9812G6KH-6TR |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
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W25Q16JVSNIM TR |
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC
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W25Q256JVEIM |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON
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W9816G6JH-5TR |
IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
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W25Q128JWPIQ TR |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON
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W25R128JWEIQ TR |
IC FLASH 128MBIT SPI 8WSON
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W971GG8NB-18 |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
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W25N01GVTBIG |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 24TFBGA
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W25N02KVZEIU |
IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 8WSON
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W9412G6KH-5TR |
IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
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W25Q16JWSSIQ |
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC
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Envie o RFQ
Atividades:
MOQ: