W9812G6KH-6TR
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fabricante:
Winbond Electronics
Descrição:
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
Categoria:
Memória
Especificações
Categoria:
Circuitos integrados (CI)
Memória
Memória
Tamanho da Memória:
128Mbit
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
DigiKey Programável:
Não verificado
Interface de memória:
Paralelo
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
54-TSOP II
Tipo de memória:
Volátil
Mfr:
Winbond Electronics
Frequência do relógio:
166 MHz
Voltagem - Fornecimento:
3 V ~ 3,6 V
Tempo de acesso:
5 ns
Embalagem / Caixa:
54-TSOP (0,400", largura de 10.16mm)
Organização da memória:
8M x 16
Temperatura de funcionamento:
0°C ~ 70°C (TA)
Tecnologia:
SDRAM
Número do produto de base:
W9812G6
Formato de memória:
DRAM
Introdução
A memória IC 128Mbit de SDRAM paraleliza 166 megahertz 5 ns 54-TSOP II
PRODUTOS CONEXOS
W29N02KVBIAE TR
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
W97AH6NBVA1E TR
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
W979H2KBVX1I TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W25N01GWZEIG TR
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
W9812G6KH-5I TR
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W632GG8NB-11TR
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W979H6KBVX1E TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W971GG8NB25I TR
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W9812G6KH-5I
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W25N512GVEIG
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
| Imagem | parte # | Descrição | |
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W29N02KVBIAE TR |
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
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W97AH6NBVA1E TR |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
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W979H2KBVX1I TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
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W25N01GWZEIG TR |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
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W9812G6KH-5I TR |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
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W632GG8NB-11TR |
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
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W979H6KBVX1E TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
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W971GG8NB25I TR |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
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W9812G6KH-5I |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
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W25N512GVEIG |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
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Envie o RFQ
Atividades:
MOQ: