W97AH6NBVA1E TR
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fabricante:
Winbond Electronics
Descrição:
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
Categoria:
Memória
Especificações
Categoria:
Circuitos integrados (CI)
Memória
Memória
Tamanho da Memória:
1Gbit
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
DigiKey Programável:
Não verificado
Interface de memória:
HSUL_12
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
15n
Pacote de dispositivos do fornecedor:
A partir de 1 de janeiro de 2014:
Tipo de memória:
Volátil
Mfr:
Winbond Electronics
Frequência do relógio:
533 megahertz
Voltagem - Fornecimento:
1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Embalagem / Caixa:
134-VFBGA
Organização da memória:
64M x 16
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 85°C (TC)
Tecnologia:
SDRAM - LPDDR2-S4B móvel
Número do produto de base:
W97AH6
Formato de memória:
DRAM
Introdução
SDRAM - IC de memória móvel LPDDR2-S4B 1Gbit HSUL_12 533 MHz 134-VFBGA (10x11.5)
PRODUTOS CONEXOS
W29N02KVBIAE TR
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
W979H2KBVX1I TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W25N01GWZEIG TR
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
W9812G6KH-5I TR
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W632GG8NB-11TR
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W979H6KBVX1E TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W971GG8NB25I TR
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W9812G6KH-5I
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W25N512GVEIG
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
W979H6KBVX2I TR
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
| Imagem | parte # | Descrição | |
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W29N02KVBIAE TR |
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
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W979H2KBVX1I TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
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W25N01GWZEIG TR |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
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W9812G6KH-5I TR |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
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W632GG8NB-11TR |
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
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W979H6KBVX1E TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
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W971GG8NB25I TR |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
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W9812G6KH-5I |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
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W25N512GVEIG |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
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W979H6KBVX2I TR |
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
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Envie o RFQ
Atividades:
MOQ: