W632GG8NB-11TR
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fabricante:
Winbond Electronics
Descrição:
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
Categoria:
Memória
Especificações
Categoria:
Circuitos integrados (CI)
Memória
Memória
Tamanho da Memória:
2Gbit
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
DigiKey Programável:
Não verificado
Interface de memória:
SSTL_15
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
15n
Pacote de dispositivos do fornecedor:
O número de veículos deve ser igual ou superior a:
Tipo de memória:
Volátil
Mfr:
Winbond Electronics
Frequência do relógio:
933 megahertz
Voltagem - Fornecimento:
1.425V ~ 1.575V
Tempo de acesso:
20 ns
Embalagem / Caixa:
78-VFBGA
Organização da memória:
256M x 8
Temperatura de funcionamento:
0°C ~ 95°C (TC)
Tecnologia:
SDRAM - DDR3
Número do produto de base:
W632GG8
Formato de memória:
DRAM
Introdução
SDRAM - DDR3 Memória IC 2Gbit SSTL_15 933 MHz 20 ns 78-VFBGA (8x10.5)
PRODUTOS CONEXOS
W29N02KVBIAE TR
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
W97AH6NBVA1E TR
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
W979H2KBVX1I TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W25N01GWZEIG TR
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
W9812G6KH-5I TR
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W979H6KBVX1E TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W971GG8NB25I TR
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W9812G6KH-5I
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W25N512GVEIG
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
W979H6KBVX2I TR
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
| Imagem | parte # | Descrição | |
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W29N02KVBIAE TR |
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
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W97AH6NBVA1E TR |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
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W979H2KBVX1I TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
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W25N01GWZEIG TR |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
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W9812G6KH-5I TR |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
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W979H6KBVX1E TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
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W971GG8NB25I TR |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
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W9812G6KH-5I |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
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W25N512GVEIG |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
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W979H6KBVX2I TR |
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
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Envie o RFQ
Atividades:
MOQ: