W989D6DBGX6E
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fabricante:
Winbond Electronics
Descrição:
IC DRAM 512MBIT LVCMOS 54VFBGA
Categoria:
Memória
Especificações
Categoria:
Circuitos integrados (CI)
Memória
Memória
Tamanho da Memória:
512 Mbit
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Caixa
Série:
-
DigiKey Programável:
Não verificado
Interface de memória:
LVCMOS
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
15n
Pacote de dispositivos do fornecedor:
54-VFBGA (8x9)
Tipo de memória:
Volátil
Mfr:
Winbond Electronics
Frequência do relógio:
166 MHz
Voltagem - Fornecimento:
1.7V ~ 1.95V
Tempo de acesso:
5 ns
Embalagem / Caixa:
54-TFBGA
Organização da memória:
32M x 16
Temperatura de funcionamento:
-25°C ~ 85°C (TC)
Tecnologia:
SDRAM - LPSDR Móvel
Número do produto de base:
W989D6
Formato de memória:
DRAM
Introdução
SDRAM - Memória móvel LPSDR IC 512Mbit LVCMOS 166 MHz 5 ns 54-VFBGA (8x9)
PRODUTOS CONEXOS
W29N02KVBIAE TR
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
W97AH6NBVA1E TR
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
W979H2KBVX1I TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W25N01GWZEIG TR
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
W9812G6KH-5I TR
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W632GG8NB-11TR
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W979H6KBVX1E TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W971GG8NB25I TR
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W9812G6KH-5I
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W25N512GVEIG
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
| Imagem | parte # | Descrição | |
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W29N02KVBIAE TR |
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
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W97AH6NBVA1E TR |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
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W979H2KBVX1I TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
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W25N01GWZEIG TR |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
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W9812G6KH-5I TR |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
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W632GG8NB-11TR |
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
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W979H6KBVX1E TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
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W971GG8NB25I TR |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
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W9812G6KH-5I |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
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W25N512GVEIG |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
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Envie o RFQ
Atividades:
MOQ: