UPD48576118F1-E18-DW1-A
![qualidade [#varpname#] fábrica](/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabricante:
RENESAS
Descrição:
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
Categoria:
Memória
Especificações
Categoria:
Circuitos integrados (CI)
Memória
Memória
Tamanho da Memória:
576Mbit
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Em granel
Série:
-
DigiKey Programável:
Não verificado
Interface de memória:
HSTL
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
144-TFBGA (11x18.5)
Tipo de memória:
Volátil
Mfr:
RENESAS
Frequência do relógio:
533 megahertz
Voltagem - Fornecimento:
1.7V ~ 1.9V
Tempo de acesso:
300 cv
Embalagem / Caixa:
144-TBGA
Organização da memória:
32M x 18
Temperatura de funcionamento:
0°C ~ 95°C (TC)
Tecnologia:
LLDRAM
Número do produto de base:
UPD48576118 (em inglês)
Formato de memória:
DRAM
Introdução
Memória LLDRAM IC 576Mbit HSTL 533 MHz 300 ps 144-TFBGA (11x18.5)
PRODUTOS CONEXOS
HN58C256AP10E
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
UPD48576236F1-E18-DW1-A
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
R1LV0108ESA-5SI#B1
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
R1LV1616HSA-5SI#B1
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
HN58C257AT85E
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
M5M5V108DVP-70H#BT
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
R1WV6416RBG-5SI#B0
R1WV6416RBG-5SI - Low Power SRAM
HN58V66ATI10E
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
R1LP5256ESA-5SI#S1
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
R1RW0416DSB-2PI#D1
R1RW0416D-I - Wide Temperature R
R1LP5256ESA-5SI#B1
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
UPD48288236AF1-E24-DW1-A
IC DRAM 288MBIT HSTL 144TFBGA
M5M5V108DKV-70HIST
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
| Imagem | parte # | Descrição | |
|---|---|---|---|
|
|
HN58C256AP10E |
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
|
|
|
|
UPD48576236F1-E18-DW1-A |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
|
|
|
|
UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
|
|
|
|
R1LV0108ESA-5SI#B1 |
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
|
|
|
|
R1LV1616HSA-5SI#B1 |
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
|
|
|
|
HN58C257AT85E |
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
|
|
|
|
M5M5V108DVP-70H#BT |
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
|
|
|
|
R1WV6416RBG-5SI#B0 |
R1WV6416RBG-5SI - Low Power SRAM
|
|
|
|
HN58V66ATI10E |
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
|
|
|
|
R1LP5256ESA-5SI#S1 |
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
|
|
|
|
R1RW0416DSB-2PI#D1 |
R1RW0416D-I - Wide Temperature R
|
|
|
|
R1LP5256ESA-5SI#B1 |
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
|
|
|
|
UPD48288236AF1-E24-DW1-A |
IC DRAM 288MBIT HSTL 144TFBGA
|
|
|
|
M5M5V108DKV-70HIST |
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
|
Envie o RFQ
Atividades:
MOQ: