UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A
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fabricante:
RENESAS
Descrição:
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
Categoria:
Memória
Especificações
Categoria:
Circuitos integrados (CI)
Memória
Memória
Tamanho da Memória:
576Mbit
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Em granel
Série:
-
DigiKey Programável:
Não verificado
Interface de memória:
HSTL
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
144-TFBGA (11x18.5)
Tipo de memória:
Volátil
Mfr:
RENESAS
Frequência do relógio:
400 MHz
Voltagem - Fornecimento:
1.7V ~ 1.9V
Embalagem / Caixa:
144-TBGA
Organização da memória:
64M x 9
Temperatura de funcionamento:
0°C ~ 95°C (TC)
Tecnologia:
LLDRAM
Número do produto de base:
UPD48576209 (em inglês)
Formato de memória:
DRAM
Introdução
Memória IC LLDRAM 576Mbit HSTL 400 MHz 144-TFBGA (11x18.5)
PRODUTOS CONEXOS
HN58C256AP10E
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
UPD48576236F1-E18-DW1-A
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
R1LV0108ESA-5SI#B1
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
R1LV1616HSA-5SI#B1
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
HN58C257AT85E
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
M5M5V108DVP-70H#BT
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
R1WV6416RBG-5SI#B0
R1WV6416RBG-5SI - Low Power SRAM
HN58V66ATI10E
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
R1LP5256ESA-5SI#S1
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
R1RW0416DSB-2PI#D1
R1RW0416D-I - Wide Temperature R
| Imagem | parte # | Descrição | |
|---|---|---|---|
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HN58C256AP10E |
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
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UPD48576236F1-E18-DW1-A |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
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R1LV0108ESA-5SI#B1 |
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
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R1LV1616HSA-5SI#B1 |
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
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HN58C257AT85E |
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
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M5M5V108DVP-70H#BT |
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
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R1WV6416RBG-5SI#B0 |
R1WV6416RBG-5SI - Low Power SRAM
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HN58V66ATI10E |
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
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R1LP5256ESA-5SI#S1 |
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
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R1RW0416DSB-2PI#D1 |
R1RW0416D-I - Wide Temperature R
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Envie o RFQ
Atividades:
MOQ: