R1RW0416DSB-2PI#D1
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fabricante:
RENESAS
Descrição:
R1RW0416D-I - Ampla temperatura R
Categoria:
Memória
Especificações
Categoria:
Circuitos integrados (CI)
Memória
Memória
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Em granel
Série:
R1RW0416DI
Interface de memória:
Paralelo
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
12ns
Pacote de dispositivos do fornecedor:
44-TSOP II
Tipo de memória:
Volátil
Mfr:
RENESAS
Tamanho da Memória:
4Mbit
Voltagem - Fornecimento:
3 V ~ 3,6 V
Embalagem / Caixa:
44-TSOP (0,400", largura de 10.16mm)
Organização da memória:
256K x 16
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - Assíncrona
Tempo de acesso:
12 ns
Formato de memória:
SRAM
Introdução
SRAM - Memória Assíncrona IC 4Mbit Paralela 12 ns 44-TSOP II
PRODUTOS CONEXOS
HN58C256AP10E
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
UPD48576236F1-E18-DW1-A
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
R1LV0108ESA-5SI#B1
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
R1LV1616HSA-5SI#B1
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
HN58C257AT85E
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
M5M5V108DVP-70H#BT
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
R1WV6416RBG-5SI#B0
R1WV6416RBG-5SI - Low Power SRAM
HN58V66ATI10E
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
R1LP5256ESA-5SI#S1
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
| Imagem | parte # | Descrição | |
|---|---|---|---|
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HN58C256AP10E |
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
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UPD48576236F1-E18-DW1-A |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
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UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
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R1LV0108ESA-5SI#B1 |
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
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R1LV1616HSA-5SI#B1 |
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
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HN58C257AT85E |
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
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M5M5V108DVP-70H#BT |
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
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R1WV6416RBG-5SI#B0 |
R1WV6416RBG-5SI - Low Power SRAM
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HN58V66ATI10E |
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
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R1LP5256ESA-5SI#S1 |
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
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Envie o RFQ
Atividades:
MOQ: