AS7C4096A-12JIN
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fabricante:
Alliance Memória, Inc.
Descrição:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
Categoria:
Memória
Especificações
Categoria:
Circuitos integrados (CI)
Memória
Memória
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Tubos
Série:
-
DigiKey Programável:
Não verificado
Interface de memória:
Paralelo
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
12ns
Pacote de dispositivos do fornecedor:
36-SOJ
Tipo de memória:
Volátil
Mfr:
Alliance Memória, Inc.
Tamanho da Memória:
4Mbit
Voltagem - Fornecimento:
4.5V ~ 5.5V
Tempo de acesso:
12 ns
Embalagem / Caixa:
36-BSOJ (0,400", largura de 10.16mm)
Organização da memória:
512K x 8
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - Assíncrona
Número do produto de base:
AS7C4096
Formato de memória:
SRAM
Introdução
SRAM - Memória assíncrona IC 4Mbit paralelo 12 ns 36-SOJ
PRODUTOS CONEXOS
AS4C8M16SA-6BIN
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C256M16D3LC-12BCN
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
AS4C64M8D2-25BCN
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C32M16D3-12BCNTR
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 96FBGA
As emissões de CO2 provenientes de instalações de transmissão de gases de efeito estufa
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
AS7C31026B-20JCN
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
As emissões de CO2 provenientes de instalações de transmissão de gases de efeito estufa
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS7C34096A-20JIN
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
AS4C128M16D3L-12BAN
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96BGA
As emissões de CO2 provenientes de instalações de transmissão de gases de efeito estufa
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
| Imagem | parte # | Descrição | |
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AS4C8M16SA-6BIN |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
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AS4C256M16D3LC-12BCN |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
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AS4C64M8D2-25BCN |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
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AS4C32M16D3-12BCNTR |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 96FBGA
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As emissões de CO2 provenientes de instalações de transmissão de gases de efeito estufa |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
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AS7C31026B-20JCN |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
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As emissões de CO2 provenientes de instalações de transmissão de gases de efeito estufa |
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
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AS7C34096A-20JIN |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
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AS4C128M16D3L-12BAN |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96BGA
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As emissões de CO2 provenientes de instalações de transmissão de gases de efeito estufa |
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
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Envie o RFQ
Atividades:
MOQ: