TC58BYG2S0HBAI4
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fabricante:
Kioxia América, Inc.
Descrição:
IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA
Categoria:
Memória
Especificações
Categoria:
Circuitos integrados (CI)
Memória
Memória
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Caixa
Série:
Benand™
DigiKey Programável:
Não verificado
Interface de memória:
Paralelo
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
25ns
Pacote de dispositivos do fornecedor:
63-TFBGA (9x11)
Tipo de memória:
Não voláteis
Mfr:
Kioxia América, Inc.
Tamanho da Memória:
4Gbit
Voltagem - Fornecimento:
1.7V ~ 1.95V
Tempo de acesso:
25 ns
Embalagem / Caixa:
63-VFBGA
Organização da memória:
512M x 8
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
FLASH - NAND (SLC)
Número do produto de base:
TC58BYG2
Formato de memória:
Flash
Introdução
Flash - NAND (SLC) IC de memória 4Gbit paralelo 25 ns 63-TFBGA (9x11)
PRODUTOS CONEXOS
TH58BVG2S3HBAI4
IC FLASH 4GBIT 63TFBGA
O TH58BYG3S0HBAI4
IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA
TC58NYG2S0HBAI6
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
TH58BYG2S3HBAI4
IC FLASH 4GBIT 63TFBGA
- Não, não, não.
IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I
- Não, não, não.
IC FLASH 2TBIT UFS 3.1 153BGA
TC58BYG0S3HBAI4
IC FLASH 1GBIT 63TFBGA
TC58BYG0S3HBAI6
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA
- Não, não, não, não.
IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA
TC58BYG2S0HBAI6
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
| Imagem | parte # | Descrição | |
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TH58BVG2S3HBAI4 |
IC FLASH 4GBIT 63TFBGA
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O TH58BYG3S0HBAI4 |
IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA
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TC58NYG2S0HBAI6 |
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
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TH58BYG2S3HBAI4 |
IC FLASH 4GBIT 63TFBGA
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- Não, não, não. |
IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I
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- Não, não, não. |
IC FLASH 2TBIT UFS 3.1 153BGA
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TC58BYG0S3HBAI4 |
IC FLASH 1GBIT 63TFBGA
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TC58BYG0S3HBAI6 |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA
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- Não, não, não, não. |
IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA
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TC58BYG2S0HBAI6 |
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
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Envie o RFQ
Atividades:
MOQ: