CY7C1024DV33-10BGXI
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fabricante:
Tecnologias Infineon
Descrição:
IC SRAM 3MBIT PARALLEL 119PBGA
Categoria:
Memória
Especificações
Categoria:
Circuitos integrados (CI)
Memória
Memória
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Caixa
Série:
-
DigiKey Programável:
Não verificado
Interface de memória:
Paralelo
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
10ns
Pacote de dispositivos do fornecedor:
119-PBGA (14x22)
Tipo de memória:
Volátil
Mfr:
Tecnologias Infineon
Tamanho da Memória:
3Mbit
Voltagem - Fornecimento:
3 V ~ 3,6 V
Tempo de acesso:
10 ns
Embalagem / Caixa:
119-BGA
Organização da memória:
128K x 24
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - Assíncrona
Número do produto de base:
CY7C1024
Formato de memória:
SRAM
Introdução
SRAM - Memória assíncrona IC 3Mbit paralelo 10 ns 119-PBGA (14x22)
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Atividades:
MOQ: