IS61WV12816DBLL-10BLI-TR
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fabricante:
ISSI, solução integrada Inc do silicone
Descrição:
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48TFBGA
Categoria:
Memória
Especificações
Categoria:
Circuitos integrados (CI)
Memória
Memória
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
DigiKey Programável:
Não verificado
Interface de memória:
Paralelo
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
10ns
Pacote de dispositivos do fornecedor:
48-TFBGA (6x8)
Tipo de memória:
Volátil
Mfr:
ISSI, solução integrada Inc do silicone
Tamanho da Memória:
2Mbit
Voltagem - Fornecimento:
3 V ~ 3,6 V
Tempo de acesso:
10 ns
Embalagem / Caixa:
48-TFBGA
Organização da memória:
128K x 16
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - Assíncrona
Número do produto de base:
IS61WV12816
Formato de memória:
SRAM
Introdução
SRAM - IC de memória assíncrona 2Mbit paralelo 10 ns 48-TFBGA (6x8)
PRODUTOS CONEXOS
IS25WP256D-JLLE-TR
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON
IS25LP020E-JNLE-TR
IC FLASH 2MBIT SPI/QUAD 8SOIC
IS43DR16320D-25DBLI
IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS62WV1288FBLL-45HLI
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32STSOP I
IS66WVE2M16ECLL-70BLI-TR
IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA
IS61QDB44M18A-300M3L
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA
IS43R16320E-6BLI
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43QR16256B-083RBL
IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96BGA
IS46TR16128C-125KBLA1-TR
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA
IS45S16320D-7BLA1-TR
IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
| Imagem | parte # | Descrição | |
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IS25WP256D-JLLE-TR |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON
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IS25LP020E-JNLE-TR |
IC FLASH 2MBIT SPI/QUAD 8SOIC
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IS43DR16320D-25DBLI |
IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
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IS62WV1288FBLL-45HLI |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32STSOP I
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IS66WVE2M16ECLL-70BLI-TR |
IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA
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IS61QDB44M18A-300M3L |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA
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IS43R16320E-6BLI |
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
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IS43QR16256B-083RBL |
IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96BGA
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IS46TR16128C-125KBLA1-TR |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA
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IS45S16320D-7BLA1-TR |
IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
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Envie o RFQ
Atividades:
MOQ: