RMWV6416AGSA-5S2#AA0
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fabricante:
Rochester Electronics, LLC
Descrição:
RMWV6416AGS - LPSR avançado de 64 Mb
Categoria:
Memória
Especificações
Categoria:
Circuitos integrados (CI)
Memória
Memória
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Em granel
Série:
-
Interface de memória:
Paralelo
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
55 ns
Pacote de dispositivos do fornecedor:
48-TSOP I
Tipo de memória:
Volátil
Mfr:
Rochester Electronics, LLC
Tamanho da Memória:
64Mbit
Voltagem - Fornecimento:
2.7V ~ 3.6V
Embalagem / Caixa:
48-TFSOP (0,724", 18,40 mm de largura)
Organização da memória:
4M x 16
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - Assíncrona
Tempo de acesso:
55 ns
Formato de memória:
SRAM
Introdução
SRAM - Memória assíncrona IC 64Mbit paralelo 55 ns 48-TSOP I
PRODUTOS CONEXOS
RMLV0816BGBG-4S2#AC0
RMLV0816BGB - 8Mb Advanced LPSRA
S25FL128SDPMFIG00
S25FL128S - (16-MB), 3.0 V FL-L
RMLV0808BGSB-4S2#AA0
R5F51305BDFP#50 - 8Mb Advanced L
RMLV0414EGSB-4S2#HA1
RMLV0414EGS - 4Mb Advanced LPSRA
| Imagem | parte # | Descrição | |
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RMLV0816BGBG-4S2#AC0 |
RMLV0816BGB - 8Mb Advanced LPSRA
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S25FL128SDPMFIG00 |
S25FL128S - (16-MB), 3.0 V FL-L
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RMLV0808BGSB-4S2#AA0 |
R5F51305BDFP#50 - 8Mb Advanced L
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RMLV0414EGSB-4S2#HA1 |
RMLV0414EGS - 4Mb Advanced LPSRA
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Atividades:
MOQ: