AS4C32M16D1A-5TCN
Especificações
Categoria:
Circuitos integrados (CI)
Memória
Memória
Tamanho da Memória:
512 Mbit
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Caixa
Série:
-
DigiKey Programável:
Não verificado
Interface de memória:
Paralelo
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
15n
Pacote de dispositivos do fornecedor:
66-TSOP II
Tipo de memória:
Volátil
Mfr:
Alliance Memória, Inc.
Frequência do relógio:
200 MHz
Voltagem - Fornecimento:
2.3V ~ 2.7V
Tempo de acesso:
700 picosegundos
Embalagem / Caixa:
66-TSSOP (0,400", largura de 10.16mm)
Organização da memória:
32M x 16
Temperatura de funcionamento:
0°C ~ 70°C (TA)
Tecnologia:
SDRAM - DDR
Número do produto de base:
AS4C32
Formato de memória:
DRAM
Introdução
SDRAM - Memória DDR IC 512Mbit Paralelo 200 MHz 700 ps 66-TSOP II
PRODUTOS CONEXOS
![qualidade [#varpname#] fábrica](/images/load_icon.gif)
AS4C8M16SA-6BIN
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
![qualidade [#varpname#] fábrica](/images/load_icon.gif)
AS4C256M16D3LC-12BCN
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
![qualidade [#varpname#] fábrica](/images/load_icon.gif)
AS4C64M8D2-25BCN
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
![qualidade [#varpname#] fábrica](/images/load_icon.gif)
AS4C32M16D3-12BCNTR
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 96FBGA
![qualidade [#varpname#] fábrica](/images/load_icon.gif)
As emissões de CO2 provenientes de instalações de transmissão de gases de efeito estufa
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
![qualidade [#varpname#] fábrica](/images/load_icon.gif)
AS7C31026B-20JCN
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
![qualidade [#varpname#] fábrica](/images/load_icon.gif)
As emissões de CO2 provenientes de instalações de transmissão de gases de efeito estufa
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
![qualidade [#varpname#] fábrica](/images/load_icon.gif)
AS7C34096A-20JIN
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
![qualidade [#varpname#] fábrica](/images/load_icon.gif)
AS4C128M16D3L-12BAN
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96BGA
![qualidade [#varpname#] fábrica](/images/load_icon.gif)
As emissões de CO2 provenientes de instalações de transmissão de gases de efeito estufa
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
Imagem | parte # | Descrição | |
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![]() |
AS4C8M16SA-6BIN |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
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![]() |
AS4C256M16D3LC-12BCN |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
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![]() |
AS4C64M8D2-25BCN |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
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AS4C32M16D3-12BCNTR |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 96FBGA
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![]() |
As emissões de CO2 provenientes de instalações de transmissão de gases de efeito estufa |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
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![]() |
AS7C31026B-20JCN |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
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![]() |
As emissões de CO2 provenientes de instalações de transmissão de gases de efeito estufa |
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
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AS7C34096A-20JIN |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
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![]() |
AS4C128M16D3L-12BAN |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96BGA
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As emissões de CO2 provenientes de instalações de transmissão de gases de efeito estufa |
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
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Envie o RFQ
Atividades:
MOQ: